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DRAM di tipo EDO ottimizzata per letture a raffica
(Burst Extended Data Out DRAM)
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La DRAM BEDO (Burst Extended Data Out) costituisce una variante della EDO
DRAM e aumenta ancora di più rispetto a questÆultima la durata del ciclo
di lettura. Poiché molte applicazioni per PC accedono alla memoria in
raffiche di 4 cicli per riempire la cache, una volta conosciuto il primo
indirizzo, è possibile fornire rapidamente alla memoria i tre successivi e
recuperarne il contenuto. Il trucco consiste nellÆaggiungere sul chip un
contatore dÆindirizzi che calcola lÆindirizzo successivo senza attendere
che questo arrivi dal processore. In questo modo il processore riesce a
leggere dati dalla memoria per ogni ciclo di clock, senza incorrere in
stati di attesa, tuttavia questa condizione di sincronizzazione dura per
poco tempo e non è permanente come nella SDRAM. Inoltre la BEDO RAM non
riesce a tenere il passo con processori che su bus di memoria usino una
frequenza superiore ai 66 MHz.
La DRAM di tipo BEDO dispone anche di uno stadio a pipeline che permette
di dividere in due componenti il ciclo di accesso alla pagina.
LÆoperazione di lettura inizia con il primo componente che accede ai dati
dalla matrice righe/colonne e li trasferisci allo stadio di output, il
secondo componente prende i dati dallo stadio di output e li trasmette sul
bus di sistema. Poiché i dati sono già nel buffer di output, si raggiunge
un tempo di accesso più veloce. La memoria BEDO può arrivare a un tempo
massimo di 5-1-1-1 (con BEDO DRAM di 52 ns e un bus a 66 MHz),
risparmiando tre ulteriori cicli di clock rispetto a una memoria EDO
ottimamente progettata.
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